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SiE822DF
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
8 0
20
V GS = 10 V thr u 4 V
16
T C = 125 °C
60
12
40
20
V GS = 3 V
8
4
T C = 25 °C
0
0
T C = - 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.006
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
4 8 00
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.0055
0.005
0.0045
0.004
0.0035
V GS = 4.5 V
3600
2400
0.003
V GS = 10 V
1200
C oss
0.0025
0.002
0
C rss
0
20
40
60
8 0
0
5
10
15
20
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 20 A
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 1 8 .3 A
8
6
4
2
0
V DS = 10 V
V DS = 16 V
1.4
1.2
1.0
0. 8
0.6
V GS = 10 V , 4.5 V
0
10
20
30
40
50
60
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 74451
S09-1338-Rev. B, 13-Jul-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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